三维芯片是将不同电路单元制作在多个平面晶片上，并通过硅通孔（Through Silicon Vias, TSVs）层间垂直互连技术将多个晶片（ Die）在垂直方向进行堆叠互连而形成的一种全新的芯片结构，具有集成度高、功耗低、带宽高、面积小、互连线短、支持异构集成等特点。